С 26 по 28 ноября 2024 года при поддержке Минпромторга России в Международном выставочном комплексе "Крокус Экспо" пройдет Международная выставка-форум «Электроника России», которая призвана содействовать продвижению электронной и радиоэлектронной. Новые электронные технологии в России Российская электроника также не стоит на месте и активно развивается. В докладе была представлена хроника развития рынка электроники с 2022 по 1-й кв. 2024. 19 февраля 2024 - Новости. На вы можете посмотреть информацию о стоимости участия и посещения выставки Электроника России 2024, а также получить консультацию по любым вопросам. К 2030 году в России должны действовать не менее 100 центров проектирования микроэлектроники, а более отдалённая перспектива — полное импортозамещение в этой сфере и вывод собственной продукции на другие рынки.
Исследование российского рынка электроники 2024
Выставку "Электроника России" посетят специалисты предприятий из большинства регионов России. те же чипы для платежных карт должны полностью импортозаместить к концу 2024 года, но и будет расширять сотрудничество и с другими странами. На вы можете посмотреть информацию о стоимости участия и посещения выставки Электроника России 2024, а также получить консультацию по любым вопросам. Выставка электронной продукции российского производства «Электроника России».
Микрон и Элрон представили Arduino-совместимую плату на «ExpoElectronica 2024»
Это делает нейронные сети и искусственный интеллект, которые будут влиять на нашу жизнь, более совершенными». Заместитель председателя правительства РФ Дмитрий Чернышенко обозначил главные цели и задачи отрасли: «Санкции открыли уникальное окно возможностей для развития отечественных разработок. Российские компании стали быстро занимать освободившуюся нишу. Мы начали строить технологическую экосистему с опорой на научный и производственный потенциал, который всегда существовал в нашей стране. Амбициозная цель стратегии развития отрасли — доминирование российских производителей на внутреннем рынке — абсолютно достижима. Принципиальная задача — не только создавать конкурентоспособную радиоэлектронную продукцию, но и обеспечивать гарантированный спрос на нее. Выручка отечественных дизайн-центров микроэлектроники за 2023 г. В 2022 г. Мы реализуем проекты по созданию перспективного технологического оборудования для выпуска полупроводников, строим производственные площадки. Крупнейшие торговые компании трансформируются в торгово-промышленные холдинги. Все это обеспечивает кратный рост частных инвестиций в разработки и производство.
Правительство продолжит оказывать меры поддержки отрасли. В фокусе внимания — образовательные программы, подготовка кадров на базе вузов и научных организаций Минобрнауки.
Едва ли покупатели пойдут на это. Кроме того, поддержка для разработчиков ограничена. Артем Сеник говорит: — Когда мы пользуемся, скажем, китайским процессором, любой возникающий вопрос, проблему и задачу можно решить очень быстро.
Например, при проектировании, программировании процессоров. Мировое коммьюнити разработчиков очень широкое. Но у нас несколько иначе. Например, мы поставили задачу по переводу компонентной базы на отечественные микроконтроллеры. Опасения заключались в том, что это новая для нас архитектура, новый микроконтроллер.
А это достаточно сложный прибор, и начиная разрабатывать на нем свое устройство, обязательно столкнешься с какими-то нюансами. Возможно, они не отражены в документации или глубоко закопаны в середине этих сотен страниц… Будет очень сложно найти ответ. Отсутствие поддержки и комьюнити, которое разрабатывает на отечественных микроконтроллерах, может негативно сказаться на скорости разработки. Тут выход — обращаться напрямую к разработчику, и все уже зависит от его условий поддержки. Санкции серьезно ударили п российской микроэлектронике Фото: trashbox.
Однако это дилетантский подход.
Опережайте тенденции и технологии, узнавая, что нового происходит в вашей сфере. Это уникальная возможность пообщаться и получить практические знания, чтобы подготовить свою компанию к будущему. Хотите поднять свой бизнес на новый уровень или убедиться, что вы не упустите следующий важный момент? На выставке вы найдете опыт и знания, необходимые для сохранения конкурентоспособности. Присоединяйтесь к нам, чтобы получить информацию о рынке из первых рук и встретиться с потенциальными партнерами.
Тем не менее, впоследствии эта оторванность от мировых процессов привела советскую микроэлектронику сначала к технологическому отставанию, а затем к копированию иностранных разработок. В отличие от СССР, США, европейские страны или Япония развивались в условиях международной кооперации и конкуренции, подстегивавшей новые разработки в области микроэлектроники. В итоге США и СССР, практически одновременно начавшие массовое производство микросхем в начале 60-х, к концу 80-х оказались на разных позициях. Из-за недофинансирования и негибкости плановой системы Советский Союз не смог сохранить свои лидерские позиции.
Гонка за импортом: эпоха упадка 90-х Другой особенностью советской микроэлектроники была ее нацеленность на оборонную промышленность и космическую отрасль. Даже самые передовые и перспективные разработки, в отличие от стран Запада или Японии, не имели широкого применения в товарах массового спроса. Российские импортеры электроники отказались от расчетов в долларах и евро 15 января, 09:17 Только в последние годы существования СССР, в 1980-е, начался массовый выпуск потребительской электроники на отечественных микросхемах. Примеры хорошо известны людям старшего поколения — видеомагнитофон "Электроника ВМ-12" или персональные компьютеры "Агат". В период экономических и политических неурядиц 90-х некоторые передовые НИИ оказались за пределами Российской Федерации, а оставшиеся испытывали хроническое недофинансирование. Это привело к массовому оттоку специалистов и сильно ударило по отрасли. Одновременно массовый импорт доступной и качественной потребительской электроники сделал разработки, основанные на отечественных микросхемах, неконкурентоспособными.
«Электроника России» 2024
Бронируйте стенды, готовьтесь к участию! Для бесплатного посещения выставки получите электронный билет по промокоду irbis на сайте.
Уже с первого заказа затраты на годовое размещение были в полном объеме скомпенсированы. От этого клиента в первых числах октября 2019 г. Сейчас он в стадии комплектования. Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ. Если говорить о пользе ресурса помимо источника лидов, то, безусловно, это еще и ежедневная информация, всегда разноплановая, актуальная и интересная. Рабочий день начинаю с прочтения размещенных за истекшие сутки статей и новостей. Часть из них уникальная, в основном, это переводы из иностранных специализированных изданий.
Ангстрем-Т Второй аналогичной историей стал Ангстрем-Т, который как и Ангстрем принадлежал министру связи Леониду Рейману, хотевшему государственных денег. Весь смысл был в том, чтобы получить бюджетные деньги за счёт огромных военных госконтрактов, поскольку переоснащение российской микроэлектроники было затеяно с целью переоснащения российской армии. Рейман поступил сходным с Микроном образом. В 2007 году, за год до мирового кризиса, вынудившего выделить AMD своё производство в отдельную компанию GlobalFoundries, фабрика Fab36 в Дрездене начала процесс переоснащения на 300 мм пластины. Fab36 Старое оборудование и технологии 130 нм на 200 мм пластинах с соответствующим дисконтом целиком выкупил Рейман и имел инициативу поставить это оборудование в Зеленограде, делать на нём великолепные микросхемы, и, будучи министром связи, давать своему собственному предприятию кучу госзаказов. Была выкуплена полная документация на 130 нм техпроцесс с гарантией выхода годных и разработанная 90 нм линия с последующей модернизацией до 65 нм. Под эту благородную задачу Ангстрем-Т в апреле 2008 года получила во внешэкономбанке кредит на 815 миллионов евро. После получения кредита руководство предприятия озвучило свои планы по запуску производства первых микросхем на производственных мощностях. Ввести завод в эксплуатацию планировалось в 2013 году. И всё было бы хорошо, но в 2008 году, когда оборудование уже было куплено, но ещё не доехало до России, Рейман перестал быть министром связи. Соответственно, у него пропал административный ресурс, начались разнообразные сложности. Оборудование AMD отгрузили на склад в Нидерландах, где оно простояло до 2014-го года и постепенно приходило в негодность. Чтобы успеть за развитием рынка, «Ангстрем-Т» в 2012 году купил у американской IBM лицензию на чипы более продвинутой технологии 90 нм. Вскоре начались новые проблемы: 1 марта 2014 года США приостановили выдачу лицензий на экспорт и реэкспорт в Россию оборудования, которое «способствуют наращиванию ее военного потенциала», из-за чего у Ангстрем-Т возникли сложности с экспортом купленных установок. Завод был запущен в пилотном режиме только в августе 2016 года, но уже спустя месяц по Ангстрем-Т нанесли самый серьезный удар: Бюро промышленности и безопасности США ввело санкции против ряда российских предприятий, работающих на рынке микроэлектроники. Это поставило крест на проекте. Это типичная коррупционная история от начала до конца, которая, тем не менее, имела шансы стать реальным полезным производством, но в силу своей изначальной коррупционной природы так им и не стала. Сейчас Ангстрем-Т существует под новым именем «НМ-Тех», пытающемся запустить то же самое производство, но с начала войны они попали под свежие жесточайшие американские санкции. В статье по разбору строения кристалла микропроцессора Эльбрус 8с, я уже упоминал о том, что российский ВПК так или иначе был под санкциями 2014-го года. Но эти санкции не очень аккуратно соблюдались. Условно говоря, когда вы заказываете какую-либо микросхему на зарубежной фабрике, она у вас спрашивает кто конечный потребитель этой микросхемы и если конечный потребитель это российская армия, то они вам должны отказать в производстве. Но по факту было так, что если им соврать, то они не проверяют. И вопрос обхода текущих санкций таким способом остаётся открытым. Китай Сейчас все крупные мировые фабрики экстренно отказались от всех связей с Россией на какое-то время, но совершенно не факт, что это ситуация продлится вечно. А для Байкалов и Эльбрусов основными крупными заказчиками являются госструктуры. И если американцы захотят следить за тем, чтобы российские госструктуры не получали микропроцессоров, то китайская полупроводниковая фабрика SMIC, являющаяся на данный момент флагманом в континентальном Китае и работающая по большей части на японском и нидерландском оборудовании, не будет сотрудничать с Байкалом и МЦСТ. Ничего личного, просто бизнес. Нет никакого экономического смысла сотрудничества с Россией, а риски от этого будут колоссальные.
Появление таких источников открывает новые горизонты для фундаментальных исследований и уникальных технологий. В 2018 году учёными ИФМ РАН была опубликована работа, в которой были представлены экспериментальные данные по лазерно-плазменному источнику рентгеновского излучения на основе ксенона. В работе были наглядно продемонстрированы результаты, полученные нашими учеными в достижении инновационного метода нанолитографии — безмасочной рентгеновской литографии на длине волны 6,7 нм. Судя по публикации, были обнаружены два устойчивых режима работы источника. Вместо расплавленного оловянного источника, применяемого в проекционной литографии компанией "ASML", в российской разработке применяется мишень на основе ксенона. Разумеется, уменьшение длины волны пропорционально повышает разрешающую способность литографа. В общем, учёные из США сошлись во мнении, что литограф на основе российской разработки будет в 1,5-2 раза эффективнее, чем у компании "ASML". В арсенале института имеются рентгеновские зеркала, которые успешно там выпускают, лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения и сам прототип установки, на которой уже получены первые структуры размером в 7 нм. То есть рентгеновская литография становится реальностью. Если удастся всё воплотить в срок, то появится первая в мире рентгеновская фотолитографическая установка, работающая в диапазонах волн 10,8 и 6,7 нм с разрешающей способностью до 1 нм. Демонстрационный стенд уже сегодня имеет длину волны 11,3 нм, что превосходит показатели компании "ASML". Обратите внимание, что используется оптический элемент, способный фокусировать рентгеновские лучи, а не отражать их, как это сделано в установках компании "ASML". Рентгеновская оптика была разработана совместными усилиями института и корпорации "Росатом". Фрагмент рентгеновской линзы. Схема той самой демонстрационной установки, на которой были получены 7 нм структуры, с длинной волны 11,3-10,8 нм. И это было ещё в 2018 году. Но это только один из путей развития российской технологии фотолитографии. Есть ещё одно направление безмасочной EUV-фотолитографии, а именно использование синхротронного излучения в качестве основного источника в литографическом оборудовании. И в России в марте 2022 года по заказу Минпромторга преступили к разработке концепции безмасочного рентген-фотолитографа с длиной волны менее 13,5 нм на базе синхротронного источника. На эти работы было выделено 670 миллионов рублей. Синхротронное излучение создаётся в синхротронах - накопительных кольцах ускорителей - при движении заряженных частиц. Упрощённая схема литографа на базе синхротронного излучения. Фотолитография на базе синхротронного излучения должна появиться через 5-10 лет.
Как Россия пытается создать свои «железо» и софт и что из этого получается?
Подобная операция совершается до 50 000 раз в секунду. Затем несколько многослойных зеркал собирают этот свет и перенаправляют его на пластину, уменьшая рисунок в четыре раза. Совершенствуя системы проекционной оптики, удаётся получать всё более совершенную топологию: разрешение было повышено с 7 нм до 3. Идёт разработка новой проекционной оптики для EUV-системы, способной получать топологию в 2 нм. При этом все эти проблемы нужно было решить уже на этапе создания демонстратора. Но может ли российский институт решить задачи, которые потребовали от нидерландской компании много времени, денег, а также сотрудничества с самыми передовыми компаниями и институтами США в области микроэлектроники? Если отвечать с наскока, то НЕТ.
И больше никто в мире пока не пытается достигнуть схожих результатов, понимая, какие усилия понадобятся для разработки своих аналогов этой системы. Однако есть только одно условие, при котором это возможно — самые передовые фундаментальные исследования в нужных областях. Ну, и что там у нас в этом направлении? Институт прикладной физики Российской Академии Наук для многих, на удивление, является лидером по многим фундаментальным исследованиям, в том числе и в области лазерных и оптических технологий. Например, уникальная научная установка "PEARL" PEtawatt pARametric Laser была первым в мире лазерным комплексом петаваттного уровня мощности, основанном на параметрическом усилении фемтосекундных импульсов. Разработана концепция экзаваттного лазерного комплекса — проект XCELS, включённый в число шести российских проектов класса мегасайенс крупные дорогостоящие международные научные и исследовательские комплексы , для реализации на территории страны в предстоящее десятилетие.
Появление таких источников открывает новые горизонты для фундаментальных исследований и уникальных технологий. В 2018 году учёными ИФМ РАН была опубликована работа, в которой были представлены экспериментальные данные по лазерно-плазменному источнику рентгеновского излучения на основе ксенона. В работе были наглядно продемонстрированы результаты, полученные нашими учеными в достижении инновационного метода нанолитографии — безмасочной рентгеновской литографии на длине волны 6,7 нм. Судя по публикации, были обнаружены два устойчивых режима работы источника. Вместо расплавленного оловянного источника, применяемого в проекционной литографии компанией "ASML", в российской разработке применяется мишень на основе ксенона. Разумеется, уменьшение длины волны пропорционально повышает разрешающую способность литографа.
В общем, учёные из США сошлись во мнении, что литограф на основе российской разработки будет в 1,5-2 раза эффективнее, чем у компании "ASML". В арсенале института имеются рентгеновские зеркала, которые успешно там выпускают, лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения и сам прототип установки, на которой уже получены первые структуры размером в 7 нм. То есть рентгеновская литография становится реальностью. Если удастся всё воплотить в срок, то появится первая в мире рентгеновская фотолитографическая установка, работающая в диапазонах волн 10,8 и 6,7 нм с разрешающей способностью до 1 нм.
В магазинах появится новая марка российской электроники Арзамасский контрактный производитель «Рикор электроникс» планирует выходить в потребительский сегмент со своими ноутбуками Фото: «Рикор электроникс». На первом этапе речь идет о ноутбуках. Об этом «Ведомостям» рассказал источник в одной из компаний, выпускающих электронику.
Важным направлением развития российской электроники является разработка и выпуск современных микроэлектронных компонентов, включая микропроцессоры, микросхемы и сенсоры.
Имеющиеся достижения и потенциал российских ученых и инженеров позволяют рассчитывать на то, что в ближайшее время они смогут создать и внедрить в производство собственные инновационные компоненты. Формат мероприятия: Сессии в формате дискуссий, а также специальные выступления в формате интервью.
Первый заказ пришел в течение недели или двух с момента размещения информации о нашей компании. Пришел из города, расположенного более, чем в 3000 км от Москвы. Заказ выполнили в срок, с требуемым уровнем качества. Уже с первого заказа затраты на годовое размещение были в полном объеме скомпенсированы. От этого клиента в первых числах октября 2019 г. Сейчас он в стадии комплектования. Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ.
7 лет на превращение России во второй Тайвань и 7 причин, по которым это почти невозможно
Здесь создается будущее российской электроники. Компания «Резонит» уже не первый год остается лидером на рынке печатных плат и входит в число крупнейших контрактных производителей России. ЕС призвал Россию отменить передачу «Газпрому» активов Ariston и Bosch Бизнес, 21:19. С 22 по 24 ноября 2022 г. при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации в «Крокус Экспо» прошла Первая выставка электронной продукции российского производства «Электроника России». Международная выставка-форум Электроника России станет смотром передовых достижений российских организаций в области радиоэлектроники.
Российская микроэлектроника: есть ли у отрасли шанс на рывок
Занимаетесь производством электроники и хотите расширить географию продаж? Ищете новых партнёров и клиентов? Хотите сравнить свой продукт с конкурентами, продемонстрировать свой продукт профессионалам отрасли и получить обратную связь?
Но в микроэлектронике каждый этап развития требует больших усилий для освоения абсолютно новых технологий, которые затем используются и в дальнейшем.
Так что «перепрыгнуть» этап и осваивать все новые технологические решения сразу, на мой взгляд, крайне сложно. Но есть шанс пройти тот же путь существенно быстрее. На этом пути нам придется осваивать огромное количество знаний, материалов, технологий.
Думаю, что на нынешнем этапе наша задача сейчас не то чтобы догнать, а хотя бы не так сильно отставать. Можно ли обозначить какие-то горизонты? Сейчас мы слышим заявления, что к 2027 году у нас будут собственные технологии 28 нанометров.
Это на пять поколений отстает от того, что есть сейчас самого передового, а к 2027 году будет еще больше. Есть, правда, аргумент, что самые передовые технологии используются только для производства процессоров для смартфонов или видеокарт и их пока придется покупать. А вот массовое производство — то, что нужно для автомобильной электроники, для различных контроллеров, системы безопасности, — для этого 28 нм вполне хватает.
И именно на 28 нм больше всего зарабатывают. Будем надеяться, что эти планы будут реализованы — сумеем освоить 28-нм технологии и обеспечить их необходимыми материалами и комплектующими. Получают ли они ее?
Считалось, что будут деньги — и все остальное тоже будет. Оказалось, ничего подобного. Во-первых, нужны кадры, а с ними сложная ситуация.
Высококвалифицированные инженеры и технологи практически недоступны на рынке. Любое современное производство — это в первую очередь автоматизация и информационные технологии, а за этих специалистов большая конкуренция со стороны ИТ-компаний уровня Сбера, «Яндекса», «ВКонтакте» и др. И они предлагают зарплаты существенно выше, чем в микроэлектронике, которая во многом остается дотационной.
То же касается материалов, оборудования — многое сейчас просто невозможно купить и придется разрабатывать самим. Таким образом, деньги — необходимое, но недостаточное условие для того, чтобы решить имеющиеся в микроэлектронике проблемы. Необходима поддержка профильного образования, научных исследований и разработок как широкого класса материалов, так и технологий.
Здесь очень важно найти оптимум, выделить и сконцентрироваться именно на критически важных, но недоступных технологиях и материалах. Еще недавно Министерство образования и науки «измеряло ученых» количеством публикаций в международных научных журналах. Вопросы типа «нужно ли это кому-то» или «как эти знания трансформируются в технологии» задавать считалось неприличным.
Теперь ситуация меняется. Конечно, учитывать публикации необходимо, в особенности для тех, кто занимается фундаментальной наукой. Но должен быть и другой критерий: востребовано ли то, что ты делаешь, индустрией?
Есть ли какие-то договоры с индустриальными партнерами? Готовишь ли ты кадры для промышленности? Куда идут потом твои выпускники?
Эти вопросы Министерство науки всегда задавало университетам, но сейчас реально старается трансформировать меры поддержки науки, так, чтобы ее результаты работали на нашу экономику. Появился проект «Передовые инженерные школы». Его цель обеспечить высокопроизводительные экспортно ориентированные секторы экономики страны высококвалифицированными кадрами.
У каждого университета, участника этого проекта, должен быть индустриальный партнер, который тоже финансово поддерживает выбранное направление. В результате университет создает школу инженеров, которая дает и разработки, и кадры для какой-то отрасли, например двигателестроения или той же микроэлектроники.
При этом все эти проблемы нужно было решить уже на этапе создания демонстратора.
Но может ли российский институт решить задачи, которые потребовали от нидерландской компании много времени, денег, а также сотрудничества с самыми передовыми компаниями и институтами США в области микроэлектроники? Если отвечать с наскока, то НЕТ. И больше никто в мире пока не пытается достигнуть схожих результатов, понимая, какие усилия понадобятся для разработки своих аналогов этой системы.
Однако есть только одно условие, при котором это возможно — самые передовые фундаментальные исследования в нужных областях. Ну, и что там у нас в этом направлении? Институт прикладной физики Российской Академии Наук для многих, на удивление, является лидером по многим фундаментальным исследованиям, в том числе и в области лазерных и оптических технологий.
Например, уникальная научная установка "PEARL" PEtawatt pARametric Laser была первым в мире лазерным комплексом петаваттного уровня мощности, основанном на параметрическом усилении фемтосекундных импульсов. Разработана концепция экзаваттного лазерного комплекса — проект XCELS, включённый в число шести российских проектов класса мегасайенс крупные дорогостоящие международные научные и исследовательские комплексы , для реализации на территории страны в предстоящее десятилетие. Появление таких источников открывает новые горизонты для фундаментальных исследований и уникальных технологий.
В 2018 году учёными ИФМ РАН была опубликована работа, в которой были представлены экспериментальные данные по лазерно-плазменному источнику рентгеновского излучения на основе ксенона. В работе были наглядно продемонстрированы результаты, полученные нашими учеными в достижении инновационного метода нанолитографии — безмасочной рентгеновской литографии на длине волны 6,7 нм. Судя по публикации, были обнаружены два устойчивых режима работы источника.
Вместо расплавленного оловянного источника, применяемого в проекционной литографии компанией "ASML", в российской разработке применяется мишень на основе ксенона. Разумеется, уменьшение длины волны пропорционально повышает разрешающую способность литографа. В общем, учёные из США сошлись во мнении, что литограф на основе российской разработки будет в 1,5-2 раза эффективнее, чем у компании "ASML".
В арсенале института имеются рентгеновские зеркала, которые успешно там выпускают, лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения и сам прототип установки, на которой уже получены первые структуры размером в 7 нм. То есть рентгеновская литография становится реальностью. Если удастся всё воплотить в срок, то появится первая в мире рентгеновская фотолитографическая установка, работающая в диапазонах волн 10,8 и 6,7 нм с разрешающей способностью до 1 нм.
Демонстрационный стенд уже сегодня имеет длину волны 11,3 нм, что превосходит показатели компании "ASML". Обратите внимание, что используется оптический элемент, способный фокусировать рентгеновские лучи, а не отражать их, как это сделано в установках компании "ASML". Рентгеновская оптика была разработана совместными усилиями института и корпорации "Росатом".
Фрагмент рентгеновской линзы.
В магазинах появится новая марка российской электроники Арзамасский контрактный производитель «Рикор электроникс» планирует выходить в потребительский сегмент со своими ноутбуками Фото: «Рикор электроникс». На первом этапе речь идет о ноутбуках. Об этом «Ведомостям» рассказал источник в одной из компаний, выпускающих электронику.
Электроника России 2024
Выставка-форум «Электроника России» призвана содействовать обеспечению технологической безопасности Российской Федерации и продвижению электронной и радиоэлектронной продукции отечественного производства на российском и международном рынках. К 2030 году в России должны действовать не менее 100 центров проектирования микроэлектроники, а более отдалённая перспектива — полное импортозамещение в этой сфере и вывод собственной продукции на другие рынки. отечественный литограф с длиной волны менее 13,5 нм.